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IRLR2905ZTRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备60V的漏源耐压（VDSS）和50A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至11mΩ，适用于高效率电源转换与功率控制场景。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，可广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中，满足高频开关与低损耗设计需求。
- 商品型号
- IRLR2905ZTRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256934
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |