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PMV100XPEA215-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）为P沟道增强型器件，适用于低电压功率控制场合。其主要参数包括：漏极电流ID为3A，漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为100mΩ，适合用于电池供电设备及小型电源管理系统。该器件具备较好的开关响应速度和热稳定性，可广泛应用于便携式电子产品、LED驱动电路、负载开关以及各类低功耗控制模块中。其封装形式灵活，便于实现紧凑化电路设计与良好散热效果。
- 商品型号
- PMV100XPEA215-HXY
- 商品编号
- C49256927
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023826克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V；132mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
PMV100XPEA215采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 20V，漏极电流ID = - 3A
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 130mΩ
- 当栅源电压VGS = - 2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 148mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET
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