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DMG3407SSN-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于多种电源管理与模拟开关应用场景。其漏极电流ID可达4.1A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为42mΩ，具备良好的导通性能与开关响应特性。器件设计兼顾效率与稳定性，适合用于电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换电路及各类低功率电源管理系统中，为电路提供高效、可靠的控制与传输路径。
- 商品型号
- DMG3407SSN-7-HXY
- 商品编号
- C49256928
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028523克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V；90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |