温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC3025LSD-13-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款N+P沟道组合场效应管（MOSFET）采用双沟道设计，集成N沟道与P沟道器件于单一封装内。单管漏极电流ID可达6A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至16mΩ，具备优良的导通特性和开关响应能力。适用于同步整流、双向负载控制、电源管理及直流变换器等应用场合，可有效提升系统效率并减少外围元件数量。该器件满足多种便携式电子设备及高效能电源系统对小型化与低损耗的要求。
- 商品型号
- DMC3025LSD-13-HXY
- 商品编号
- C49256929
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；45mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.85V；1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V；13.8nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 255pF；760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF；95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF；140pF |
商品概述
DMC3025LSD-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 6 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 22 mΩ
- VDS = -30V，ID = -5.5A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 45 mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机