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SH8K37GZETB-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，适用于需要高效功率控制的电子设备。其主要参数包括：漏极电流ID为6.5A，漏源电压VDSS达60V，导通电阻RDON低至32mΩ，能够在较高频率下稳定工作，同时降低导通损耗。该器件具备良好的热稳定性和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类便携式电子设备中的功率控制电路。封装形式可根据具体需求进行选择，以满足不同应用场景下的布板与散热要求。
- 商品型号
- SH8K37GZETB-HXY
- 商品编号
- C49256925
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；34mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
SH8K37GZETB采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 6.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 36 mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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