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SQ4946CEY-T1_GE3-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N+N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为6.5A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON为32mΩ。采用双沟道结构设计，支持双向功率控制，适用于多种中低压电路应用场景。该器件常用于电源管理系统、电池充放电控制、DC-AC转换电路以及各类便携式电子设备中的功率调节模块，具备良好的热稳定性与动态响应性能，可满足多样化电路设计需求。
- 商品型号
- SQ4946CEY-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C49256924
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
SQ4946CEY-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 6.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 36mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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