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PMV50XP215-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源电压（VDSS）和4.2A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为48毫欧，具备良好的导通性能与较低的功率损耗。适用于各类中低功率开关电路，在电源管理、电池供电设备、直流电机驱动及便携式电子产品中表现稳定。其封装形式便于安装与散热，能满足高效能、小型化电路设计对空间与性能的双重需求。
- 商品型号
- PMV50XP215-HXY
- 商品编号
- C48996514
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
PMV50XP215采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
商品特性
- V DS = - 20V, I D = - 4.2A
- R DS(ON) < 55mΩ(V GS = - 4.5V 时)
- R DS(ON) < 75mΩ(V GS = - 2.5V 时)
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET
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