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NTMFD5C466NT1G-HXY
双N沟道SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET），具备40A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用双沟道结构设计，集成度高，在电源管理、负载开关、电机控制及同步整流等场景中表现出良好的电气性能与稳定性。适用于各类高效能电子设备中的功率转换与控制电路。
- 商品型号
- NTMFD5C466NT1G-HXY
- 商品编号
- C48996524
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V；6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
NTMFD5C466NT1G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提升耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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