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AOTL66912

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高电流承载能力和优异的导通性能，主要参数包括：最大漏极电流ID为350A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON低至1.4mΩ。器件设计采用成熟工艺，确保在高负载条件下仍具有良好的稳定性和耐久性。适用于高效电源变换装置、储能管理系统、智能电力设备及高性能计算平台等场景，满足对电能转换效率与系统可靠性有较高要求的应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AOTL66912
商品编号: C48996529
商品封装: TOLL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.928克(g)

商品参数

AOTL66912采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为实现更高的耐用性而设计。