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KMA3D0N20SA-HXY
N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于中低功率电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为2.8A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为37mΩ，具备良好的导通性能与开关响应。该器件适合用于小型化电源转换器、便携式电子设备的功率控制模块、电池供电系统中的负载开关等应用场景。在低电压工作环境下，该MOSFET表现出稳定的电气性能和较高的能效，满足对空间和功耗有要求的电路设计需求。
- 商品型号
- KMA3D0N20SA-HXY
- 商品编号
- C48996534
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
KMA3D0N20SA采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 2.8 A
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 40 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT - 23
- N沟道MOSFET