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DMT6015LFV-7-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优良的导通特性和稳定的开关性能。主要参数包括：漏极电流ID为40A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。适用于电源转换、电机驱动、电池供电设备及高密度功率电路设计，支持高效、可靠的电力控制方案，是一款广泛应用于各类中高功率电子系统的理想器件。
- 商品型号
- DMT6015LFV-7-HXY
- 商品编号
- C48996536
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072449克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
优惠活动
购买数量
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