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DMTH6016LFVW-13-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为40A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至12mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的场合，能够提供良好的导通性能和快速开关特性。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此MOSFET可广泛用于电源管理、负载开关、适配器及各类高密度电子设备中，满足多样化电路设计需求。
- 商品型号
- DMTH6016LFVW-13-HXY
- 商品编号
- C48996540
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
DMTH6016LFVW-13采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 40A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- DFN3X3-8L
- N沟道MOSFET