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DMN2024U-7-HXY
耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为7A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为15mΩ。该器件具有较快的开关速度和良好的热稳定性，适合用于中低功率电路中的开关控制。其较低的导通电阻有助于提升整体效率并降低运行温度。适用于各类消费类电子产品、便携式设备、电源管理系统以及小型开关电路的设计需求，具备较强的通用性和可靠性。
- 商品型号
- DMN2024U-7-HXY
- 商品编号
- C48996542
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
RQ5E050ATTCL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -9.5A
- RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -10V
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理