DMN2024U-7-HXY

耐压:20V 电流:7A

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为7A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为15mΩ。该器件具有较快的开关速度和良好的热稳定性，适合用于中低功率电路中的开关控制。其较低的导通电阻有助于提升整体效率并降低运行温度。适用于各类消费类电子产品、便携式设备、电源管理系统以及小型开关电路的设计需求，具备较强的通用性和可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN2024U-7-HXY

商品编号

C48996542

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.028克(g)