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SL3007-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），最大漏极电流ID为10A，漏源电压VDSS为30V，适用于中等功率电路设计。导通电阻RDON为14mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压VGS支持最高20V，确保器件在不同工作条件下具备良好的开关特性和稳定性。该MOSFET采用成熟封装与制造工艺，具有优良的热管理能力和长期可靠性，广泛应用于电源转换、电池管理系统、便携式电子设备及其他对能效和空间布局有要求的电子产品中。
- 商品型号
- SL3007-HXY
- 商品编号
- C48996546
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SSL3007采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V,漏极电流ID = - 9.5A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET