立创商城logo
购物车0
SL3007-HXY实物图
  • SL3007-HXY商品缩略图
  • SL3007-HXY商品缩略图
  • SL3007-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SL3007-HXY

P沟道增强型MOSFET

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
本产品为P沟道场效应管(MOSFET),最大漏极电流ID为10A,漏源电压VDSS为30V,适用于中等功率电路设计。导通电阻RDON为14mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。栅源电压VGS支持最高20V,确保器件在不同工作条件下具备良好的开关特性和稳定性。该MOSFET采用成熟封装与制造工艺,具有优良的热管理能力和长期可靠性,广泛应用于电源转换、电池管理系统、便携式电子设备及其他对能效和空间布局有要求的电子产品中。
商品型号
SL3007-HXY
商品编号
C48996546
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0268克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9.5A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.33nF
反向传输电容(Crss)156pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)183pF

数据手册PDF