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SQD100N02_3M5L4GE3-HXY
N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON低至3.5mΩ。该器件适用于高效率、高功率密度的开关电源、同步整流、DC-DC转换以及负载管理等应用场景，具备良好的热稳定性和快速开关特性，能够满足高频电路对性能的严苛要求。
- 商品型号
- SQD100N02_3M5L4GE3-HXY
- 商品编号
- C48996550
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387879克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SQD100N023M5L4GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V,漏极电流ID = 80 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源