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RQ5E050ATTCL-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受最高20V的栅源电压（VGS），导通状态下漏极电流可达10A。其导通电阻（RDON）低至14毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路及直流电机控制等场景，支持高频开关操作，为高效能、紧凑型电子设备提供可靠支持。
- 商品型号
- RQ5E050ATTCL-HXY
- 商品编号
- C48996549
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
DMTH6016LFVWQ-7-A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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