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SI2369BDS-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），主要参数包括：最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为14mΩ，栅源电压VGS范围为±20V。该器件具有低导通损耗和高开关效率，适用于各类功率转换电路，如DC-DC电源模块、电池管理系统、负载开关控制及小型化电子设备中的功率管理单元，可为系统提供稳定的性能支持。
- 商品型号
- SI2369BDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C48996548
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SQD100N02_3M5L4GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流 ID = 80 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源