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SI2369DS-T1-BE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备10A的最大漏极电流ID和30V的漏源电压VDSS，适用于中等功率应用场景。导通电阻RDON为14mΩ，能够在导通状态下有效降低功耗，提高整体效率。器件支持最高20V的栅源电压VGS，确保稳定工作条件下具备良好的开关性能。采用成熟工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，广泛适用于电源管理模块、便携式电子设备、电池供电系统及其他对能效与空间布局有要求的电子产品中。
- 商品型号
- SI2369DS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C48996545
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026908克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
SI2369DS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = -30V，漏极电流 = -9.5A
- 栅源电压为 -10V 时，漏源导通电阻 < 20mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET