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IPD85P04P4L06ATMA2-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有以下关键参数：最大漏极电流ID为80A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.3毫欧，具备高电流承载能力和较低的导通损耗。该器件适用于多种功率控制与电源管理应用，如直流电源转换、电池供电系统中的开关电路、负载驱动模块以及对能效和稳定性要求较高的电子设备中，可有效提升系统整体工作效率并降低发热损耗。
- 商品型号
- IPD85P04P4L06ATMA2-HXY
- 商品编号
- C48996543
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394681克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
IPD160N04LG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 30 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 22 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源