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SQD90P04-9M4L_GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，最大漏极电流ID可达80A，漏源电压VDSS为40V，适用于中高功率应用场景。导通电阻RDON低至7.3mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源管理、负载开关、电池供电设备以及消费类电子产品中的高效能需求场合。
- 商品型号
- SQD90P04-9M4L_GE3-HXY
- 商品编号
- C48996544
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
DMN2024U - 7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 7 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 17 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- PWM应用
- N沟道MOSFET