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PMV20XNEAR-HXY
N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为7A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为15mΩ。该器件具备快速开关响应和良好的热稳定性，适用于多种中低功率应用场景。其较低的导通电阻有助于提升效率并减少发热。此类MOSFET可应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器及各类小型化电路设计中，满足高效能与高集成度的需求。
- 商品型号
- PMV20XNEAR-HXY
- 商品编号
- C48996541
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
- DMN2024U-7-HXY
- IPD85P04P4L06ATMA2-HXY
- SQD90P04-9M4L_GE3-HXY
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- SQD100N02_3M5L4GE3-HXY
- 4X2/0.5MM-DX
- GN-804D-30m
- 751-20mm-12
- 32*2.4mm-1.6MPa/4m
- 32-PVC-zt
- 32-PVC-wt
- 32-PVC-st
- 25*2.0mm-1.6MPa/4m
- 25-PVC-zt
- 25-PVC-wt
- 25-PVC-st
- 20*2.0mm-2.0MPa/4m