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PMV20XNEAR-HXY
N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为7A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为15mΩ。该器件具备快速开关响应和良好的热稳定性，适用于多种中低功率应用场景。其较低的导通电阻有助于提升效率并减少发热。此类MOSFET可应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器及各类小型化电路设计中，满足高效能与高集成度的需求。
- 商品型号
- PMV20XNEAR-HXY
- 商品编号
- C48996541
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
PMV20XNEAR采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 7 A
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 17 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时,RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- PWM应用