温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD160N04LG-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有良好的导通特性和高频响应能力。其主要参数包括：漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至18mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及直流电机驱动等场景，支持高密度和高效能的电路设计需求，是一款性能稳定、适用范围广泛的功率器件。
- 商品型号
- IPD160N04LG-HXY
- 商品编号
- C48996535
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.40404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
DMTH4007SPD-13采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。此器件专为实现更高的耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用