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NVTR4503NT1G-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流（ID）为2A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDON）低至86mΩ。该器件适用于需要高效开关和功率控制的多种场景，例如电源管理、电池供电设备以及小型电子系统中的直流电机或负载驱动电路。其低导通电阻有助于降低功耗并提升整体能效。
- 商品型号
- NVTR4503NT1G-HXY
- 商品编号
- C48996533
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
XP236N2001TR-G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 2A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 98mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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