DMT35M4LFVW-7-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的导通特性和较高的电流承载能力，适用于多种高效电源管理与功率控制场合。其漏极电流ID为40A，漏源电压VDSS为30V，满足中低压功率应用的需求；导通电阻RDON低至5mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。器件设计注重稳定性和可靠性，适用于同步整流、直流变换器、电机驱动及高密度电源模块等场景，为复杂电路提供高效、耐用的核心支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT35M4LFVW-7-HXY

商品编号

C48996527

商品封装

DFN3x3-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.076531克(g)