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XP236N2001TR-G-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源耐压（VDSS）与2A连续漏极电流（ID）能力，适用于中低功率开关应用。86mΩ的导通电阻（RDON）可在较低电流下实现良好的导通效率，减少发热并提升整体能效。器件结构稳定，响应速度快，适合应用于小型电源转换器、智能控制电路、电池供电设备及各类电子负载管理场景，为多样化电子产品提供高效、可靠的半导体支持方案。
- 商品型号
- XP236N2001TR-G-HXY
- 商品编号
- C48996532
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
XP236N2001TR-G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 2A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 98mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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