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MVGSF1N03LT1G-HXY
耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），适用于中低功率电路设计。导通电阻（RDON）为86毫欧，能够在较低电流条件下实现较为理想的导通性能，减少能量损耗。该器件常用于便携式电子设备、小型电源模块、信号切换电路以及各类智能控制板卡中，为系统提供可靠的开关控制与稳定的电气表现。
- 商品型号
- MVGSF1N03LT1G-HXY
- 商品编号
- C48996531
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
MVGSF1N03LT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 2A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 90 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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