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MVGSF1N03LT1G-HXY
耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），适用于中低功率电路设计。导通电阻（RDON）为86毫欧，能够在较低电流条件下实现较为理想的导通性能，减少能量损耗。该器件常用于便携式电子设备、小型电源模块、信号切换电路以及各类智能控制板卡中，为系统提供可靠的开关控制与稳定的电气表现。
- 商品型号
- MVGSF1N03LT1G-HXY
- 商品编号
- C48996531
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
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