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MVGSF1N03LT1G-HXY

耐压:30V 电流:2A

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），适用于中低功率电路设计。导通电阻（RDON）为86毫欧，能够在较低电流条件下实现较为理想的导通性能，减少能量损耗。该器件常用于便携式电子设备、小型电源模块、信号切换电路以及各类智能控制板卡中，为系统提供可靠的开关控制与稳定的电气表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: MVGSF1N03LT1G-HXY
商品编号: C48996531
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.027778克(g)

商品参数

NVMFD5873NLT1G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为实现更高的耐用性而设计。