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NVMFD5873NLT1G-HXY
双N沟道SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET），具有35A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率应用场合。导通电阻（RDON）为11mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。采用双沟道结构设计，具备良好的集成性与稳定性，适合用于电源管理、开关电路、电机驱动及同步整流等场景，在各类高效能电子设备中可实现可靠的功率控制与转换功能。
- 商品型号
- NVMFD5873NLT1G-HXY
- 商品编号
- C48996525
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
SI2377EDS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET
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