温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DMT2005UDV-7-HXY

双N沟道SGT增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 本产品为N+N沟道场效应管（MOSFET），具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中等功率应用场景。导通电阻（RDON）低至5mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统能效。采用双沟道结构设计，集成度高，在电源管理、负载开关、电机控制及同步整流等应用中表现出优异的电气性能与稳定性，适合用于各类高效电子设备中的功率转换与控制电路。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT2005UDV-7-HXY
商品编号: C48996526
商品封装: DFN3X3-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.076531克(g)

商品参数

NVTFS4C08NWFTAG采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为获得更好的耐用性而设计。