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DMN2005UPS-13-HXY
N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源耐压（VDSS），可持续通过60A漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为3.5毫欧。该器件适用于高效率电源转换与管理领域，如同步整流、电池充放电控制及高性能DC-DC转换电路，具备快速开关响应和低损耗特性，可满足多样化电子设备对功率密度与能效的严苛需求。
- 商品型号
- DMN2005UPS-13-HXY
- 商品编号
- C48996519
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 407pF |
商品概述
DMN2005UPS-13采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 60A
- RDS(ON) < 5mΩ,VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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