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DMTH4007SPD-13-HXY
双N沟道SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构设计，具有良好的导通性能与高效能表现。其漏极电流ID为40A，漏源电压VDSS为40V，适用于多种中高功率电路场景。导通电阻RDON低至6.9mΩ，有效降低传输损耗并提升整体效率。该器件可广泛应用于电源管理、开关控制、DC-DC转换及负载调节等电子电路中，提供稳定且可靠的工作表现。
- 商品型号
- DMTH4007SPD-13-HXY
- 商品编号
- C48996523
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.141克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
MVGSF1N03LT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 2A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 90 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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