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NVMFD5C466NWFT1G-HXY
双N沟道SGT增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具备良好的导通特性和高效率表现。其漏极电流ID为40A，漏源电压VDSS为40V，适用于多种中高功率电路应用需求。导通电阻RDON低至6.9mΩ，有助于减少能量损耗并提升整体系统性能。该器件可广泛应用于电源转换、开关控制及负载调节等电子电路中，提供稳定可靠的运行表现。
- 商品型号
- NVMFD5C466NWFT1G-HXY
- 商品编号
- C48996522
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V；6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
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