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FDS6890A-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N+N沟道场效应管（MOSFET）采用双通道设计，单通道支持连续漏极电流达8A（ID），漏源耐压（VDSS）为20V，导通电阻低至13毫欧（RDON），有效降低功率损耗。器件具备优异的开关速度与热稳定性，适用于高性能电源转换、便携式电子设备、通信模块及计算平台中的同步整流、负载开关、电机控制及电池管理系统，可提升整体系统效率与响应速度。
- 商品型号
- FDS6890A-HXY
- 商品编号
- C48996516
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12551克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
FDS6890A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V ID = 8A
- RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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