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NDS9435A-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承载连续漏极电流（ID）达5.8A，导通电阻（RDON）低至43毫欧。该器件适用于各类中功率电源管理场合，如DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，提供高效、稳定的性能支持。
- 商品型号
- NDS9435A-HXY
- 商品编号
- C48996518
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
PMV50XPR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET
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