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NDS9430-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有稳定的电气性能与良好的导通特性。其漏极电流ID为5.8A，漏源电压VDSS为30V，满足中低功率应用的耐压需求。导通电阻RDON为43mΩ，在保证效率的同时兼顾成本控制。适用于各类电源管理模块、电池供电设备、DC-DC转换电路及消费类电子产品中的开关控制场景。器件采用通用封装形式，便于PCB布局与批量生产，适合多种中小型功率电路设计方案。
- 商品型号
- NDS9430-HXY
- 商品编号
- C48996517
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132653克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V；62mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
NDS9435A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -5.8A
- RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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