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PMV50XPAR-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），支持连续漏极电流达4.2A（ID），导通电阻仅为48毫欧（RDON），可实现高效功率传输。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适用于电源管理、便携设备、通信模块及高性能计算设备中的DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路等场景，为系统提供可靠的能量控制与优化表现。
- 商品型号
- PMV50XPAR-HXY
- 商品编号
- C48996515
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
DMP34M4SPS-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -100A
- RDS(ON) < 4mΩ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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