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SI2377EDS-T1-BE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）为48毫欧，适用于中低功率开关电路。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件可广泛应用于电源转换、电池管理、直流负载控制等领域，适合嵌入于通信模块、家用电器及小型电子设备中，满足高效、紧凑型电路设计的需求。
- 商品型号
- SI2377EDS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C48996513
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
SI2377EDS-T1-BE3采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -4.2A
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET
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