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STD70N10F4-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优良的导通特性和稳定性，适用于多种电源管理及功率转换场景。器件漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS达100V，导通电阻RDON为13.5mΩ，能够在较高频率与中等电流环境下实现较低损耗与良好热表现。基于其可靠性能和成熟工艺，该MOSFET适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路及储能系统中的功率控制单元，为多样化电子应用提供高效、稳定的元件支持。
- 商品型号
- STD70N10F4-HXY
- 商品编号
- C48996509
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.208nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品概述
STD70N10F4采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。 TO252-2L
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用-N沟道MOSFET
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