STD70N10F4-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备优良的导通特性和稳定性，适用于多种电源管理及功率转换场景。器件漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS达100V，导通电阻RDON为13.5mΩ，能够在较高频率与中等电流环境下实现较低损耗与良好热表现。基于其可靠性能和成熟工艺，该MOSFET适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路及储能系统中的功率控制单元，为多样化电子应用提供高效、稳定的元件支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD70N10F4-HXY

商品编号

C48996509

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391919克(g)