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IPD60N10S4L12ATMA1-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）在电源管理和功率控制领域表现出色。其漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为100V，导通电阻RDON为13.5mΩ，具备良好的导电能力和热稳定性，适合中高功率应用场景。该器件适用于开关电源、同步整流电路、电池保护模块及各类高效能电子设备中的功率转换与调节单元，为系统提供高效、可靠的解决方案。
- 商品型号
- IPD60N10S4L12ATMA1-HXY
- 商品编号
- C48996510
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.208nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品概述
IPD60N10S4L12ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。 TO-252-2L
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
- N沟道MOSFET
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