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PMV50XPR-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达4.2A，导通电阻（RDON）低至48毫欧。该器件适用于各类中功率开关电路，在电源管理、直流电机控制及负载切换等场景中表现出良好的导通性能与热稳定性。采用标准封装形式，便于焊接与集成，适合用于通信设备、消费类电子产品及便携式仪器中的高效能开关应用。
- 商品型号
- PMV50XPR-HXY
- 商品编号
- C48996512
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
PMV50XPR采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -4.2A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET
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