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IRFR3710ZTRLPBF-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON为13.5mΩ。该器件适用于需要高效功率控制的电路设计，能够在较高频率下稳定工作，适合用于电源转换、电机驱动以及各类电子设备中的开关应用。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高系统整体效率。
- 商品型号
- IRFR3710ZTRLPBF-HXY
- 商品编号
- C48996511
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.208nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品概述
NVMFS5C638NLWFT1G采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 125 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用
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