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DMP34M4SPS-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具备30V漏源耐压（VDSS）与110A额定漏极电流（ID），可满足较高功率密度的设计需求。导通电阻（RDON）典型值为3mΩ，有效降低导通损耗，提升整体能效表现。该器件适用于各类电源管理系统、开关控制电路以及电池供电设备中的功率切换应用，具备良好的热稳定性和可靠性，能够胜任复杂工况下的持续运行任务。
- 商品型号
- DMP34M4SPS-13-HXY
- 商品编号
- C48996508
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
优惠活动
购买数量
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