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RS1E220ATTB1-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和90A的额定漏极电流（ID），适用于较高功率的电源管理场景。导通状态下，其典型导通电阻（RDON）低至3.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类电源转换设备、负载开关电路以及电池供电系统中的控制与驱动应用。
- 商品型号
- RS1E220ATTB1-HXY
- 商品编号
- C48996507
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF |
商品概述
RS1E220ATTB1采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -90A
- RDS(ON) < 4.5mΩ,VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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