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HNVTFS5826NLTWG
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏的最大漏源电压（VDSS），适用于高效率的开关应用。其导通电阻（RDON）仅为12毫欧，在大电流应用中能保持较低的发热水平。该MOSFET支持最高20伏的栅源电压（VGS），确保了宽范围的驱动兼容性。此元件广泛适用于电源管理、电池充电控制及各类电子设备中的信号放大与开关功能。
- 商品型号
- HNVTFS5826NLTWG
- 商品编号
- C42401443
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062814克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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