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HBUK723055A118
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流ID可达20A，击穿电压VDSS高达60V，导通电阻RDON仅为27mΩ，在VGS为20V时表现尤为优异。该MOSFET适用于多种电路设计，如电源转换、开关控制等，能够实现高效能与低功耗的平衡，满足精密电子设备的需求。其紧凑的设计有助于提高空间利用率，是现代电子产品中不可或缺的关键组件。
- 商品型号
- HBUK723055A118
- 商品编号
- C42401455
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.393克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HBUK723055A118采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 20 A
- RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源