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HNVTFS5C680NLTAG
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET），具备30A的最大连续漏极电流（ID）与60V的漏源极间耐压（VDSS）。其导通电阻（RDON）仅为24毫欧，在确保高效能的同时，有效降低了功率损耗。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），确保了宽泛的工作条件下的稳定性能。适用于各类电源转换、信号调节及开关控制电路中，能够满足对效率与可靠性有高要求的应用需求。
- 商品型号
- HNVTFS5C680NLTAG
- 商品编号
- C42401461
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HNVTFS5C680NLTAG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源