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HFQD13N10LTM
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有卓越的电气性能，适用于广泛的电子项目中。其最大漏极电流ID为12A，最高漏源电压VDSS达100V，确保了在高压环境下的可靠运行。导通电阻RDON仅为95mΩ，有效降低了工作时的功率损耗。支持的最大栅源电压VGS为20V，提供了灵活的驱动选项。该MOSFET适用于电源供应、逆变器、电池管理系统以及各种开关电路中，是追求高性能与低功耗设计的理想选择。
- 商品型号
- HFQD13N10LTM
- 商品编号
- C42401467
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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