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HSi2377EDST1GE3
P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有4.2A的最大连续漏极电流（ID）和20V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDON）为48毫欧，在12V栅源电压（VGS）条件下表现出色。该MOSFET适用于多种电路设计，如电源管理、电池保护以及电子设备中的开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统的效率和稳定性。
- 商品型号
- HSi2377EDST1GE3
- 商品编号
- C42401475
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSi2377EDST1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -4.2A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET