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HAM7440N
耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有50A的连续漏极电流容量和40V的最大漏源电压，其导通电阻低至11mΩ，在20V的栅源电压下表现尤为突出。该器件适用于多种高效率电力转换和控制应用场景，如电源供应器、逆变器和各类需要快速响应与低功耗特性的电子设备。其卓越的导电性能和低热损耗特点，使得在紧凑型设计中也能保持高性能运行。
- 商品型号
- HAM7440N
- 商品编号
- C42401468
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149495克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF |