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HBSS123NH6327XTSA1
N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.2A的连续漏极电流，最大耐压可达100V，导通电阻为2800mΩ，在20V栅源电压条件下性能稳定。该元件适合用于需要精确电流控制的应用场景，例如便携式电子设备、电源适配器内的开关控制以及各类电子产品中的信号处理电路。其高耐压和相对较高的导通电阻特性，使其成为在有限电流需求下实现高效、可靠操作的理想选择。
- 商品型号
- HBSS123NH6327XTSA1
- 商品编号
- C42401470
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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