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HPMV32UP215
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有5A的最大连续漏极电流（ID）和20V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDON）低至30毫欧，可在10V的栅源电压（VGS）下高效工作。该元件适合应用于各种需要精确控制和低功耗的电路中，例如电源转换器、负载开关及电池管理系统中的信号路径控制。其优秀的电气特性确保了在复杂电路环境下的稳定表现。
- 商品型号
- HPMV32UP215
- 商品编号
- C42401474
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
HPMV32UP215采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V,ID = - 5A
- RDS(ON) < 38mΩ(VGS = - 4.5V时)
- RDS(ON) < 60mΩ(VGS = - 2.5V时)
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT - 23
- P沟道MOSFET
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